Mémoire RAM DDR3 Intel H2312JFJR 4Go module ECC haute fiabilité

L'excellence industrielle au service de votre matériel informatique

Pour les infrastructures qui ne dorment jamais, la sélection des composants répond à des normes strictes de durabilité. Ce module de mémoire RAM DDR3 Intel H2312JFJR incarne la performance industrielle de haut niveau. Chaque circuit intégré subit des tests de validation rigoureux en usine afin de supporter des conditions thermiques intenses à l'intérieur des boîtiers serveurs 2U encombrés.

Matériaux de premier choix pour une conductivité maximale

Les connecteurs plaqués or de cette barrette de 4Go offrent une résistance remarquable à l'oxydation naturelle, maintenant un contact électrique parfait au fil des années. Cette rigueur de fabrication garantit une impédance stable, limitant les pertes de signal même lors de sollicitations continues vingt-quatre heures sur vingt-quatre.

• Fiabilité supérieure : Conçu pour minimiser les interruptions de service critiques.
• Dissipation optimisée : Architecture favorisant le flux d'air interne du châssis.
• Norme stricte : Certification d'usine pour les plateformes professionnelles Intel.